N-kontakt högeffekt SPNT RF-omkopplare
Typ
● Hög effekt SPNT koaxial switch
● Arbetsfrekvens: DC-12,4GHz/18GHz
● RF-kontakt: N/SC hona
● Reflekterande
RF-prestanda
Hög isolering: större än 80 dB vid 6 GHz, större än 70 dB vid 12,4 GHz;
Låg VSWR: mindre än 1,3 vid 6GHz, mindre än 1,5 vid 12,4GHz;
Low Ins.less: mindre än 0,3dB vid 6GHz, mindre än 0,5dB vid 12,4GHz.
RF omtest stabilitet och längre livslängd
Insättningsförlust upprepad teststabilitet: 0,02dB vid 6GHz, 0,03dB vid 12,4GHz;
Säkerställ 2 miljoner gånger livscykel (enkanalcirkel 2 miljoner gånger).
Funktionsprincip för RF-switch
1. RF-tillträdesnivåomkopplare använder tre terminaler Cote – Shield-teknologi för att eliminera påverkan av material som fästs på detektionselektroden på kontrolleffekten.Den högfrekventa signalen som genereras i den elektroniska kretsen skickas direkt till detektionselektroden på ena sidan och till den antividhäftningsskyddande hylsan genom en RF-spänningsföljare på den andra.Dess storlek och fas är samma som signalen som läggs till sondstaven.När material fäster på sonden bildas en kapacitans mellan skyddshylsan och behållarens vägg, så att den högfrekventa signalen som läggs till skyddshylsan kommer att mätta kapacitansen, så att högfrekvenssignalen på sonden inte kan flöda in i sonden. behållarväggen genom limskiktet.När en stor mängd material i behållaren kommer i kontakt med sonden, kommer strömmen på sonden att passera mättnadsområdet och strömma till behållarens vägg, vilket genererar signalen om närvaron av material.
2. RF-admittansnivåomkopplare använder högfrekvensteknologi för att generera en RF-signal med liten effekt på sonden från den elektroniska kretsen, och sonden fungerar som ett avkänningselement för att återkoppla de signalförändringar som orsakas av nivåns dielektriska konstant till elektrisk krets;Eftersom dessa förändringar inkluderar förändringar av kapacitans och konduktans, bearbetar den elektroniska kretsen reaktanssignalen (signal för omfattande förändringar av kapacitiv reaktans och impedans).
3. Förändringen av reaktansen orsakar fasändringen av högfrekvent signal på polen.Därför ändras även fasskillnaden mellan högfrekventa signalen på polen och referenssignalen i den elektroniska kretsen.Efter att ändringen har bearbetats skickar frekvensomriktarens utgångskrets ut en larmsignal för att detektera om det finns material i silon.